三星電子株式會社專利技術

三星電子株式會社共有40923項專利

  • 本申請提供了一種電子設備及其控制方法。電子設備包括通信器、圖像拍攝器和處理器,其中,圖像拍攝器配置成獲取包含屏幕的顯示設備的拍攝圖像,處理器配置成在拍攝圖像中識別屏幕的屏幕區域。處理器還配置成:從拍攝圖像中的屏幕區域的外部的背景區域采樣...
  • 一種調制解調器芯片包括:處理器,被配置為生成指令;定時控制器,被配置為在指令的執行時間分別生成與指令相對應的控制信號;以及多個知識產權塊,每個被配置為響應于控制信號中的對應的控制信號進行操作。定時控制器包括:堆排序電路,被配置為使用執行...
  • 本公開提供了一種設備的方法,包括:接收指示設備的預測故障的預測信息;獲得基于預測信息可使用維修服務來維修預測故障的調度;如果獲得的調度在預測信息所指示的預測故障時間點之后,則發送用于請求用于延遲預測故障并維持設備的正常操作的維護信息的信...
  • 提供了一種用于支持基于混合自動重傳請求(HARQ)而重復發送的數據的合并的調制解調器芯片。該調制解調器芯片包括HARQ合并器,被配置為運行計算機可讀指令以通過將重傳的數據和先前的HARQ數據合并來執行HARQ合并,重傳的數據包括經由控制...
  • 本文中公開一種用于對鎖相環(PLL)進行快速收斂增益校準的電子電路及方法。根據一個實施例,一種方法包括:由電壓產生電路接收輸入值,所述輸入值代表采樣電壓與參考電壓之間的差;以及由所述電壓產生電路通過基于由所述輸入值代表的差產生電壓輸出來...
  • 一種延遲控制電路包括:第一步進延遲單元,包括第一開關和第一電容器,第一開關的第一端連接到第一節點,第一電容器連接到第一開關的第二端;第二步進延遲單元,包括第二開關和第二電容器,第二開關的第一端連接到第二節點,第二電容器連接到第二開關的第...
  • 本發明涉及有機電解質溶液以及包括其的鋰電池。有機電解質溶液包括:鋰鹽;有機溶劑;和由式1表示的含氟磷酸酯化合物:其中,在式1中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、和R15各自獨...
  • 提供無負極鋰金屬電池及其制造方法。所述無負極鋰金屬電池包括:正極集流體;包括正極活性材料層的正極;負極集流體;包括第一液體電解質、以及選自鋰金屬和鋰合金的至少一種的復合電解質;以及在所述正極和所述復合電解質之間的液體不能滲透的離子傳導復...
  • 本發明涉及無負極鋰金屬電池及其制造方法。無負極鋰金屬電池包括:包括正極集流體和在所述正極集流體上的正極活性材料層的正極;在正極上的負極集流體;以及在正極和負極集流體之間的復合電解質,其中復合電解質包括第一液體電解質、以及鋰金屬或鋰金屬合...
  • 本發明涉及復合電解質、保護膜、被保護的負極、鋰金屬電池、和制造被保護的負極的方法。復合電解質包括:帶正電的顆粒、通過與陽離子具有配位鍵而帶正電的顆粒、或其組合;和鋰鹽。
  • 公開電致發光器件、和包括其的顯示器件。所述電致發光器件包括:第一電極;設置在所述第一電極上并且包括具有共軛結構的第一有機材料的空穴傳輸層;直接設置在所述空穴傳輸層上并且包括多個發光顆粒的發射層;設置在所述發射層上的電子傳輸層;和設置在所...
  • 一種紫外發光裝置,包括:第一導電類型AlGaN半導體層;有源層,其設置在所述第一導電類型AlGaN半導體層上并且具有AlGaN半導體;第二導電類型AlGaN半導體層,其設置在所述有源層上,并且具有被劃分為第一區域和第二區域的上表面;第二...
  • 紫外半導體發光器件包括半導體堆疊、溝槽、填充絕緣體以及第一電極和第二電極。半導體堆疊包括第一導電類型的半導體層和第二導電類型的半導體層以及在它們之間的有源層,有源層包括AlGaN半導體材料。溝槽延伸通過第二導電類型的半導體層和有源層到達...
  • 本發明公開了一種半導體器件及其制造方法,所述半導體器件可包括:并列形成在襯底上的第一鰭部和第二鰭部;第一抬升式摻雜區,其形成在第一鰭部上,并具有第一摻雜濃度的雜質;第二抬升式摻雜區,其形成在第二鰭部上;以及第一橋,其將第一抬升式摻雜區和...
  • 一種三維半導體存儲器件,包括:電極結構,其包括垂直堆疊在半導體層上的電極;垂直半導體圖案,其穿透電極結構并連接到半導體層;以及垂直絕緣圖案,其在電極結構與垂直半導體圖案之間。垂直絕緣圖案包括在電極結構的側壁上的側壁部分以及沿著半導體層的...
  • 一種存儲器件包括:基板;第一存儲結構,包括在垂直于基板的頂表面的方向上堆疊在基板上的多條第一字線;金屬間層,在第一存儲結構上并包括多個中間焊盤,該多個中間焊盤與所述多條第一字線中的分開的相應第一字線連接;第二存儲結構,包括在垂直于基板的...
  • 公開了半導體器件及其制造方法。從襯底部分地刻蝕支撐層和模層,以在襯底上形成模制圖案和支撐圖案,使得接觸孔穿過支撐圖案和模制圖案而形成,并且互連件通過接觸孔而被暴露。在掩模圖案上形成下電極層,以填充接觸孔,并且通過部分地去除下電極層和掩模...
  • 本發明公開了一種半導體器件及其制造方法,該半導體器件包括:襯底,具有有源區;以及在襯底的有源區上的第一晶體管至第三晶體管,第一晶體管至第三晶體管中的每個包括在襯底上的電介質層、在電介質層上的金屬層以及在電介質層和金屬層之間的阻擋層。第一...
  • 圖像傳感器封裝包括基板;圖像傳感器芯片,設置在所述基板上;以及外力吸收層,設置在所述基板和所述圖像傳感器芯片之間并具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述圖像傳感器封裝還包括粘合劑層,該粘合劑層被配置為將所述外力吸收層的第二表面...
  • 本申請提供了一種半導體存儲器裝置及其操作方法。所述半導體存儲器裝置具有存儲器單元陣列和修復控制電路。存儲器單元陣列包括正常單元區和冗余單元區,正常單元區包括多個正常區組,冗余單元區被構造為替代正常單元區的失效的存儲器單元。修復控制電路被...
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